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推崇环保 日本正式开发TFT氧化物半导体

2010年02月09日 09:37   来源:中国数字视听网   作者:karl   字体【

       用于液晶面板、有机EL面板以及电子纸等显示面板驱动用途的氧化物半导体TFT的研发越来越活跃。其中,作为驱动有机EL面板的有力候补,氧化物半导体TFT更是备受期待。与原来采用非晶硅TFT相比,氧化物半导体TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs,是前者的10倍左右,这样就便于提高有机EL面板的亮度。另外,氧化物TFT的特性不均较小,而且电流的时间变化也较少。

       因此,可轻松抑制有机EL面板的显示不均现象,适于大面积化用途。另外,由于氧化物TFT可通过溅射法制造,因此导入时无需大幅改变现有的液晶面板生产线。鉴于上述优点,韩国LG显示器(LG Display)、韩国三星电子(Samsung Electronics)以及台湾友达光电(AU Optronics)等韩国和台湾的大型面板厂商纷纷加大氧化物TFT的开发力度,日本厂商则是最近才开始大力开发。

       夏普在2009年12月举行的显示器技术国际学会“16th InternationalDisplay Workshops(IDW ’09)”上,公开了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA(320×240像素)液晶面板。氧化物半导体采用了IGZO(In-Ga-Zn-O)。

      凸版印刷的TFT采用了可进行涂布的氧化物半导体。由于采用了涂布工艺,有望降低制造成本。该公司试制出了将制造工序中的最高温度降至270℃的氧化物TFT。与采用原来涂布工艺制造的氧化物TFT相比,其最高温度“要低100℃以上”(凸版印刷)。凸版印刷的试制品是在玻璃底板上制作的,通过旋转覆盖(Spin Coat)对氧化物半导体进行涂布成膜。栅极绝缘膜以及源极等各个电极都可采用原来的制造工序。

      虽然比不上采用溅射法制造的产品,但凸版印刷的试制品实现了与普通非晶硅TFT同等程度的特性,迁移率超过0.5cm2/Vs,开关比超过105。特点是将电子纸和液晶面板的驱动纳入考虑范围。凸版印刷已经利用该试制品成功地驱动了美国E Ink生产的2英寸电子纸。

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(编辑:Karl)

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