IDT 推出 DDR3 内存模块温度传感器

进一步扩展云计算产品组合，全新高精度器件能提高企业计算应用内存子系统的可靠性和性能并降低功耗

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 近日推出针对 DDR2 和 DDR3 内存模块、固态硬盘 (SSD) 和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了 IDT 的 PCI Express®、信号集成、闪存控制器、电源管理和时钟产品，从而提供更加丰富的应用优化型企业计算解决方案。

DDR3 内存模块温度传感器

这些数字热传感器支持 3.3V 和较低功耗的 2.5V SM-Bus 和 I2C 接口，可提高系统的功效，并提高与现有和新兴串行总线控制器的兼容性。为了进一步节省能源，在临界模式下，例如手机或容错企业系统使用电池供电时，先进的模上电源管理功能可以将功耗降至最低。新产品家族包括一款独立温度传感器 (TS3000GB2) 和一款同时集成了256字节 EEPROM的产品 (TSE2002GB2)，EEPROM可用来存储用户信息，例如系统配置信息或内存模块的串行存在探测(SPD)的系统配置信息。

全新的IDT温度传感器系列超过了美国电子工程设计发展联合会 (JEDEC) 为B级别温度传感器规定的JC42.4规范要求的产品，可在 -20～+125℃ 之间的整个温度范围内提供 ±1℃的温度传感精度，从而提供了更好的系统精度。该器件还集成了一个创新的高性能模数转换器，可提供高达12位 (0.0625℃) 的可编程分辨率和业界领先的转换时间，显着改进了整个温度范围热控回路的整体精度。

SMART Modular Technologies 公司高级产品经理 Arthur Sainio 表示：“我们的客户不断要求提高系统可靠性和功效，而 IDT 的热传感器帮助我们满足了这些要求。我们很高兴 IDT 提供了如此完善的高性能计算解决方案产品组合，能够满足云计算市场中不断增多的需求。”

IDT 公司副总裁兼企业计算部总经理 Mario Montana 表示：“在下一代计算设备逐渐迁移到低能耗低电压架构的过渡中，IDT 一直保持领先，不断地为内存模块市场提供着完整的解决方案。我们的客户相信 IDT 是性能、能耗和可靠性方面的佼佼者，而我们的全新热传感器系列更加巩固了这种信任。

TS3000GB2 和 TSE2002GB2 都支持系统管理总线 (SM-Bus) 和 I2C 协议与规范，包括对下一代系统至关重要的超时要求，以及用于改进所有客户系统设计中的容错能力的输入干扰过滤和升高电压滞后功能。

温度传感器件已向合格客户提供样品。器件采用符合 RoHS 规范的 8 引脚 DFN 和 TDFN 两种封装。