三星发布全球首颗30nm级DDR3内存芯片

        近日，三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。

        三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30％的功耗，因此又称为绿色内存(Green DRAM)，另外相比40nm级别工艺量产效率可提高60％，相比50-60nm级别工艺更是可达两倍之多。

三星发布全球首颗30nm级DDR3内存芯片

　　三星将在今年下半年量产这种芯片，并以此各种低功耗内存条，比如4GB DDR3 SO-DIMM，用在笔记本内的时候每小时只消耗3W，仅占笔记本总功耗的3％。

　　当然在台式机、服务器、上网本和各种移动设备里，这种新工艺内存也都有广泛的用途。

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（编辑：Karl）