东芝开发出显示器用氧化物半导体TFT

据悉，东芝于近日成功开发出了用于显示器的氧化物半导体TFT。此次东芝开发的氧化物半导体TFT，其中的通道材料采用了非结晶IGZO（In-Ga-Zn-O）。IGZO TFT比现有大型液晶面板的驱动元件所采用的非晶硅TFT的载流子迁移率约高10倍，不过阈值电压的变化此前却一直是个问题。

东芝 TOSHIBA

东芝发现IGZO TFT的可靠性与通道材料内部氢的状态有关。在优化IGZO TFT的成膜条件以及成膜后热处理（淬火）温度的同时，通过控制绝缘膜中的氢的浓度，在玻璃基板上以320℃的温度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的载流子迁移率为13.5cm2/Vs。

另外东芝还试制了采用此次IGZO TFT的3英寸有机EL面板。在基板上形成了栅极驱动电路。

今后，东芝将推进氧化物半导体TFT形成工艺的低温化以及进一步确保其可靠性。以便实现基板材料从现在的玻璃材料变为树脂材料，实现薄型、轻质的平板显示器的目标。