细数平板显示器显示的技术特性与特征（2）

3.真空荧光显示器（VFD）

真空荧光显示器是一种广泛用作音/视频产品和家用电器的显示器。它是将阴极、栅极和阳极封装在真空管壳内的一种三极电子管式的真空显示器件。它是阴极发射的电子经栅极和阳极所加的正电压而加速，并激励涂覆于阳极上的荧光粉而发光的。其栅极采用的是蜂窝结构。

4.电致发光显示器（ELD）

电致发光显示器采用固态薄膜技术制成。在2个导电板之间放置一个绝缘层，一个薄的电致发光层便沉积而成。该器件采用宽发射频谱的涂锌板或涂锶板作电致发光部件。其电致发光层为100微米厚，能达到象有机发光二极管（OLED）显示器一样清晰的显示效果。它的典型驱动电压为10KHz，200V的交流电压，因而需要较昂贵的驱动器集成电路。采用有源阵列驱动方案的高分辨率微型显示器已研制成功。

5.液晶显示器（LCD）

液晶显示器包括无源矩阵液晶显示器（PM-LCD）与有源矩阵液晶显示器（AM-LCD）。STN与TN液晶显示器均同属于无源矩阵液晶显示器。90 年代，有源矩阵液晶显示器技术获得了飞速发展，特别是薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）。它作为STN的换代产品具有响应速度快、不产生闪烁等优点，广泛应用到便携式计算机及工作站、电视、摄录像机和手持式视频游戏机等产品中。AM-LCD与PM-LCD的差别在于前者每象素加有开关器件，可克服交叉干扰，可得到高对比度和高分辨率显示。当前AM-LCD采用的是非晶硅（a-Si）TFT开关器件和存储电容方案，可得到高灰度级，实现真彩色显示。然而，高密度摄像机和投影应用对高分辨率和小象素的需求推动了P-Si（多晶硅）TFT（薄膜晶体管）显示器的发展 。P-Si的迁移率比a-Si的迁移率高8到9倍。P-Si TFT的尺寸小，不仅适合用于高密度高分辨率显示，且周边电路也可以集成到基板上。